晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。晶圆由高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后形成。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。它是电子器件和集成电路制造的基础材料之一，具有非常高的纯度和平整度。晶圆的尺寸越大，可以制造的芯片数量就越多，但技术难度也越高。

关于晶圆，北京清析技术研究院可提供缺陷检测、表面检测、衬底检测、键合检测、电性检测、直径、平整度、表面粗糙度、晶格结构、掺杂浓度、电阻率、载流子浓度、光学透过率、表面反射率、杂质检测、晶圆形状、晶圆定位、热膨胀系数、晶圆扁平度、晶圆清洁度、晶圆颜色、晶圆密度、晶圆硬度、晶圆抗弯性能等检测项目。同时，北京清析技术研究院可对晶圆、半导体晶圆、硅晶圆等晶圆进行检测。

检测方法

1、物理测试

物理测试用于测量晶圆的尺寸、形状、密度和表面质量等特征。常用的物理测试方法包括扫描电镜(SEM)、X射线衍射(X射线衍射(XRD))和表面测量技术(STEM)等。扫描电镜可以测量晶圆表面的细节和形状,以及其尺寸和形状误差。X射线衍射可以测量晶圆的原子结构和尺寸,以及晶圆的晶体结构。表面测量技术则可以测量晶圆表面的粗糙度和形状误差。

2、化学测试

化学测试用于测量晶圆中的化学成分和化学键的位置等特征。常用的化学测试方法包括原子力显微镜(AFM)和化学分析技术等。AFM可以测量晶圆表面的化学成分和键的位置,以及其表面结构和尺寸。化学分析技术则可以分析晶圆中的元素和化合物的种类和分布。

3、性能测试

性能测试用于评估晶圆的半导体性能,例如导电性、光吸收、热传导等。常用的性能测试方法包括热膨胀测试、电学测试和光学测试等。热膨胀测试可以测量晶圆在温度变化时的膨胀和收缩行为,从而评估晶圆的热稳定性。电学测试可以测量晶圆在不同电场下的电学性质,从而评估晶圆的导电性。光学测试则可以测量晶圆在不同光照下的光吸收和反射等特性,从而评估晶圆的光吸收性能。

检测标准

1、T/QGCML 4031-2024 半导体光学晶圆

2、T/ZZB 2883-2022 双帽晶圆绕线电阻器

3、GB/T 34177-2017 光刻用石英玻璃晶圆

4、BS EN 62047-9:2013 半导体装置 微电子机械装置 MEMS的晶圆与晶圆结合强度测量

5、T/CASMES 125-2022 晶圆减薄划片技术规范

6、T/SZBX 018-2021 晶圆级芯片尺寸封装产品

7、GB/T 26044-2010 信号传输用单晶圆铜线及其线坯